講演題目：　Impurity Band Mott Insulators
　　　　　　　- a new route to (High Tc) Superconductivity

講　師　：　G. Baskaran
　　　　　　　　　(教授、Institute of Mathematical Sciences, Chennai、インド
　 　　　　　　　および 東北大学金属材料研究所付属　
　　　　　　　　　　　　　　　　　材料科学国際フロンティアセンター・客員教授）
　　　　　　　　 
日　時　：　平成16年5月27日（木）　16:00-
場　所　：　北海道大学大学院理学研究科物理学専攻　大学院講義室
　　　　　　　理学部　2号館（2−11号室）

要　旨　：
　 　Mott insulators have given us a nice route to reach a correlation driven high Tc superconductivity and novel superconductors as evidenced by cuprate and organic superconductors. Inspired by a recent finding [1] of superconductivity in boron doped dimaond. I suggest that impurity band Mott insulators provide another route for high Tc superconductivity. I will illustrate this idea by going into some details of an electron correlation driven superconductivity mechanism I have suggested for the heavily doped diamond [2]. I argue that the uncompensated boron impurity band is strongly correlated and undergoes a Anderson-Mott insulator to superconductivity transition as the boron density is increased across a critical concentration.

[1] E.A. Ekimov et al., Nature (London), 428 542 (2004)
[2] G. Baskaran, cond-mat/0404286

世話人　　　熊谷健一 （北海道大学大学院理学研究科）
　　　　　　　　　 (Tel: 011-706-4422、kumagai@phys.sci.hokudai.ac.jp)