講演題目：　電子ドープ型層状ハフニウム窒化物超伝導体の磁化、
                NMRによる研究

講　師　：　藤　秀樹 
　　　　　　　　　( 広島大学大学院先端物質科学研究科助教授)
　　　　　　　　 　
日　時　：　平成14年4月23日（火）　16:00-
場　所　：　北海道大学大学院理学研究科物理学専攻　大学院講義室
　　　　　　　理学部　2号館（2−11号室）

要　旨　：
　 4eVのバンドギャップをもつ層状半導体 HfNCl は、僅かな電子ドープにより比較的高温のTc =25.5Kで超伝導を示す。この系の超伝導特性を調べるため、磁化、NMR 、窒素アイソ トープ効果の測定をおこなった。 窒素アイソトープ置換により見積もられたアイソトー プ係数はα〜0.07と極めて小さく、従来のBCS 機構の議論では高いTcを説明するには困難であると思われる。当日は HfNCl 系の超伝導特性について発表予定である。

世話人　熊谷健一　（北海道大学大学院理学研究科）
　　　　　　　　　 (011-706-4422、kumagai@nucl.sci.hokudai.ac.jp)