Colloquium, 1998
Division of Physics, Grad. Sch. of Sci., Hokkaido Univ.

以下のように物理コロキュウムが予定されています。
皆さん奮って御参加下さい。

URL of this page is <http://phys.sci.hokudai.ac.jp/Colloq/Colloq-1998/Yoshida.html>
Colloquium 1997 1998 1999

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Title:
電子励起原子移動による半導体中の不純物欠陥の物理と制御
〜物質設計と新物質創製をめざして〜

講師:
吉田　博 (大阪大学産業科学研究所)
(by Prof. H. Yoshida)

日時・場所:
１２月１６日（水）１６：３０〜
大学院講義室 (2-211)にて
( 16:30--, December 16 (Wed.) 1998 @ Lecture Room (2-211) )

要旨：　第一原理計算に基づいて、電子励起原子移動による半導体中の不純物欠陥の 物理（からくり）と制御方法（マテリアルデザイン）について講演する。　現実の物 質はきわめて多くの複雑な要素が絡み合った複雑系であり、安易なモデルに基づいて 、経験的なパラメータによって物質の個別性の起源を議論することには無理がある。 最近、半導体産業の進歩による計算機の能力の進歩と計算物理学的な計算手法の進歩 により、物質の量子シミュレーションがかなり現実的な系についても可能になってき た。一方、放射光やレーザなどの強力な光源の開発によって、半導体の電子系を特定 の原子について選択的に励起する手法が身近なものとなってきた。

本講演では、経験的な要素を一切排除して、原子番号だけを入力パラメータとした 計算により、電子励起した場合の半導体中の不純物欠陥の原子移動機構を解明し、こ れらの結果に基づいて基底状態では存在しない新物質を電子励起によって創製するた めの材料創製プロセスを発見することを試みる。

具体的には、水素化アモルファスシリコンや水素化アモルファスカーボンの光誘起 劣化反応機構（Staebler-Wronski効果）の解明や電子励起結晶化促進反応機構のデザ イン（常温定圧でのダイヤモンド結晶の合成法）、またワイドギャップ半導体(ZnSe, GaN, AlN, CuInS２， Diamond)のドーピング時のドーパントの電子励起原子移動を 制御するための同時ドーピング法という新しい価電子制御法のマテリアルデザインに よる予言と実験を比較して議論する。

連絡先:　中原純一郎　(x6929) <jun@phys.sci.hokudai.ac.jp>

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物理コロキウム世話人:

大西　明 (x 2689) <ohnishi@nucl.sci.hokudai.ac.jp>

網塚　浩 (x 3484) <amiami@phys.sci.hokudai.ac.jp>