• 題目： GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子過程とBose-Einstein統計性
  
  
• 講師： 中山 正昭 (大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻)
  
  
• 日時・場所： 6/25(水) 17:00-
  大学院講義室 ２−２−１１
  
  
• 要旨：
  　GaAs/AlAs超格子では、GaAs層厚が約3.7nmよりも薄い場合、伝導バンドにおけるΓ-Xサブバンドエネルギー交差が生じ、最低エネルギー励起子は、AlAs層のX電子とGaAs層のΓ正孔から形成され、電子・正孔波動関数が空間分離された状態となる（タイプ-IIと呼ぶ）。このようなタイプ-II励起子は、バルク結晶では実現され得ない超格子特有の励起子であり、多様な光物性が発現する。コロキュームでは、以下の観点から、GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子過程とBose-Einstein統計性に関する研究成果について述べる。
  
  1. Γ-X波動関数混成と遷移振動子強度
  2. 励起子状態の制御
  3. 励起子分子形成
  4. 励起子-励起子分子系のBose-Einstein統計性の発現と制御
  
  
• 連絡先： 三品具文 (3551)
  

物理コロキウム世話人:
　山本昌司 ( 4月-9月) (Tel: 2681; E-mail: yamamoto@phys.sci.hokudai.ac.jp)
　中山隆一 （10月-3月）(Tel: 2696; E-mail: nakayama@particle.sci.hokudai.ac.jp)